| 铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 姜胜林 曾亦可 刘少波 刘梅冬. 铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1315-1319 |
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| 作者姓名： | 姜胜林 曾亦可 刘少波 刘梅冬 |
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| 作者单位： | 姜胜林（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;曾亦可（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;刘少波（中国科学院电工研究所,北京,100080）;刘梅冬（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074） |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA325080);国家自然科学基金重大研究计划项目(90201028) |
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| 摘 要： | 为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.
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| 关 键 词： | 铅掺杂 BST铁电薄膜 结晶性能 铁电弛豫和弥散相变 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1315-05 |
| 修稿时间： | 2003-08-11 |
Effect of lead additives on the electrical properties of BST ferroelectrics thin film |
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