| 高频感应-红外吸收法测定碳化硅中的SiC含量 |
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| 引用本文： | 商英,王彬果,赵靖,徐静. 高频感应-红外吸收法测定碳化硅中的SiC含量[J]. 广东化工, 2011, 38(4) |
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| 作者姓名： | 商英 王彬果 赵靖 徐静 |
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| 作者单位： | 河北钢铁集团邯钢有限公司,技术中心,河北,邯郸,056015 |
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| 摘 要： | 文章采用碳化硅和基准碳酸钙混合配耐成不同含量的标准样品,对高频红外碳硫分析仪进行多点校正,通过测定碳化硅中的碳含量,换算得到碳化硅含量.该方法简便、快速,可适用于测定50%～90%范围的碳化硅含量.
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| 关 键 词： | 碳化硅 红外吸收法 合成标准样品 线性校正 |
Determination of SiC Content in the Silicon Carbide by High Frequency-infrared Absorption Method |
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| Shang Ying,Wang Binguo,Zhao Jing,Xu Jing. Determination of SiC Content in the Silicon Carbide by High Frequency-infrared Absorption Method[J]. Guangdong Chemical Industry, 2011, 38(4) |
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| Authors: | Shang Ying Wang Binguo Zhao Jing Xu Jing |
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