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| 用GaAs单片电路形成的高性能W波段集成振荡源组件 | |
| 作者姓名： | 曲兰欣 |
| 摘 要： | 用ＧａＡｓ单片电路形成的高性能Ｗ波段集成振荡源组件ＨＢＴＭＭＩＣ介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）由于稳定性和相噪性能良好而受到微波和毫米波稳定振荡源的青睐。然而，Ｋａ波段以上的ＨＢＴＤＲＯ却少有报道。据《ＩＥＥＥＭ．Ｇ．Ｗ．Ｌ．》１９９４年第７期报道，Ｔｈ... |
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