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红外光谱法在选择锗(锂)半导体探测材料方面的应用
作者姓名:
顾振芳
姜延林
张文青
杨宝安
李广将
摘 要:
本工作用红外光谱法,在4000—200 cm~(-1)区域内,对一百多块单晶材料进行了测试。通过对影响单晶透过率变化因素的研究,总结出一些规律性,作为研制高分辨锗(锂)探测器的依据。井给出用红外光谱法选择后的单晶制得的锗(锂)探测器能量分辨率的实验结果。
关 键 词:
红外光谱法
锗(锂)半导体
自由载流子
晶格吸收
杂质吸收
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