| 磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性 |
| |
| 引用本文： | 李辉,李合琴,胡仁杰,张元元.磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性[J].材料热处理学报,2013,34(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 李辉 李合琴 胡仁杰 张元元 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥,230009 |
| |
| 基金项目： | 国家"973"计划项目，安徽省自然科学基金，安徽省高校自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜.将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min.用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌.结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性；随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2.
|
| 关 键 词： | SiC薄膜 射频磁控溅射 SiO2 抗氧化性 |
High-temperature oxidation resistance of SiC thin films deposited by magnetron sputtering |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiC thin film RF magnetron sputtering SiO2 resistance of oxidation |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
