| 论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正 |
| |
| 引用本文： | 宿昌厚,鲁效明. 论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正[J]. 计量技术, 2005, 0(8): 5-7 |
| |
| 作者姓名： | 宿昌厚 鲁效明 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
2. 中国计量科学研究院,北京,100013 |
| |
| 摘 要： | 论述了用四探针法测量半导体片电阻率时，怎样更好地进行厚度修正，结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点，再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点，并给出修正函数计算式及一部分修正函数数据表。
|
| 关 键 词： | 电阻率 厚度修正 四探针法 体电阻率 半导体 厚度 测试 修正函数 分界点 原理 |
Discuss Corrected of Thickness for Measuring Resistivity of Silicon with Four probe Array Method |
| |
| Su Changhou,LU Xiaoming. Discuss Corrected of Thickness for Measuring Resistivity of Silicon with Four probe Array Method[J]. Measurement Technique, 2005, 0(8): 5-7 |
| |
| Authors: | Su Changhou LU Xiaoming |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
