|
|||||
|
|
| 钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质 | |
| 引用本文： | 施晶莹,冷文华,程小芳,张昭,张鉴清,曹楚南.钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质[J].中国有色金属学报,2007,17(9):1536-1542. |
| 作者姓名： | 施晶莹 冷文华 程小芳 张昭 张鉴清 曹楚南 |
| 作者单位： | 1. 福建泉州师范学院,化学系,泉州,362000;浙江大学,化学系,杭州,310027 2. 浙江大学,化学系,杭州,310027 3. 浙江大学,化学系,杭州,310027;中国科学院,金属研究所,金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳,110016 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;福建省泉州市科技局重点项目 |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法分别制备未掺杂和钴掺杂TiO2溶胶，室温下将其分别与三乙胺反应制得氮掺杂和（Co，N）共掺杂的TiO2溶胶，然后通过浸渍-提拉法在钛片上成膜，经烧结获得掺杂光电极。采用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光谱和光电流作用谱等对电极进行表征，并探讨其光电响应机理。结果表明：TiO2共掺杂后并未引起TiO2能带边缘位置发生明显改变，N主要以NOx形式掺杂；（Co，N）共掺杂TiO2薄膜电极的可见光电响应比单掺杂的高，这主要归因于共掺杂TiO2薄膜电极的比表面积增大、光吸收性能改善、界面电荷转移速率提高以及共掺杂元素的协同作用等。 |
| 关 键 词： | TiO2薄膜 钴氮共掺杂 光电化学 可见光 |
| 文章编号： | 1004-0609（2007）09-1536-07 |
| 收稿时间： | 2007-01-09 |
| 修稿时间： | 2007-07-15 |
Preparation of cobalt and nitrogen codoped TiO2 thin films and their photoelctrochemical performance |
|
| SHI Jing-ying,LENG Wen-hua,CHENG Xiao-fang,ZHANG Zhao,ZHANG Jian-qing,CAO Chu-nan.Preparation of cobalt and nitrogen codoped TiO2 thin films and their photoelctrochemical performance[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2007,17(9):1536-1542. | |
| Authors: | SHI Jing-ying LENG Wen-hua CHENG Xiao-fang ZHANG Zhao ZHANG Jian-qing CAO Chu-nan |
| Affiliation: | 1, Department of Chemistry, Quaazhou Normal College, Quanzhou 362000, China; 2. Department of Chemistry, Zhcjiang University, Hangzhou 310027, China; 3. State Key Laboratory for Corrosion and Protection, Institute of Metals Research, Chinese Academy of Sciences, Shcnyang 110015, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |