|
|||||
|
|
| 三星推出采用堆栈技术的512MbSDRAM器件 | |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 三星半导体公司推出了两款采用堆栈式封装技术的512Mb SDRAM存储器件.它主要应用于高端服务器、基站和网络产品,是唯一的满足1 GB DIMMS要求的产品. 它们采用0.15微米处理技术,具有两种512Mb制式.其中K4S510632B采用4倍制式,而K4S510732B采用8倍制式.两款器件现已投入量产,采用54管脚 TSOP(II)堆栈式封装,工作电压为3.3V,与现有的由K3S560432 (x4)和K3S560832 (x8)构成的256M SDRAM器件相同.它们也兼容于JEDEC PC100 & PC133规范,最大带宽为133MHz(CL=2 或CL=3). 这些堆栈式器件为用户提供了一种更为经济高效、更高存储容量的系统设计,不会对热障和稳定性能造成损害. |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |