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| 柔性衬底上六噻吩薄膜的有序生长 | |
| 引用本文： | 沐俊应,陈振兴,梁氏秋水.柔性衬底上六噻吩薄膜的有序生长[J].微细加工技术,2007(6):15-17,39. |
| 作者姓名： | 沐俊应 陈振兴 梁氏秋水 |
| 作者单位： | 1. 中南大学化学化工学院,长沙,410083 2. 中南大学化学化工学院,长沙410083;中山大学化学与化学工程学院,广州,510275 3. 中山大学化学与化学工程学院,广州,510275 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(20576141);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(教外司留[2005]546号) |
| 摘 要： | 采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,控制衬底温度和生长速率,分别在柔性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)绝缘层和柔性氧化铟锡(ITO)透明导电层上真空蒸发沉积了分子有序排列的六噻吩薄膜.X射线衍射分析表明,对PVP层而言,六噻吩薄膜有序生长的条件为衬底温度90°c、生长速率10 nm/min,六噻吩分子链始终与衬底平行,降低衬底温度将导致薄膜结晶度的下降.而对ITO层来说,六噻吩薄膜有序生长的条件为衬底温度50℃、生长速率10 nm/min,衬底温度显著影响了六噻吩分子取向,室温下六噻吩分子链与衬底成一定夹角,随着温度的提高六噻吩分子链趋向与衬底平行.对PVP和ITO衬底,生长速率太高或太低都将导致薄膜结晶度的下降. |
| 关 键 词： | 六噻吩 有机半导体 柔性衬底 真空蒸发沉积 有序薄膜 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)06-0015-03 |
| 修稿时间： | 2007年8月13日 |
Growth of Well-ordered Sexithiophene Films on Flexible Substrates |
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| MU Jun-ying,CHEN Zhen-xing,LIANGSHI Qiu-shui.Growth of Well-ordered Sexithiophene Films on Flexible Substrates[J].Microfabrication Technology,2007(6):15-17,39. | |
| Authors: | MU Jun-ying CHEN Zhen-xing LIANGSHI Qiu-shui |
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