离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用

本文研究了离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用,对离子注入的基区氧化再扩散、中性气氛再扩散和基区CVD工艺的表面缺陷作了比较和分析。对离子注入的基区工艺,本文给出了理论与实验的工艺参数和工艺条件的关系曲线。 实验表明,基区离子注入工艺具有的工艺稳定性,均匀性,一致性和可控性均比基区 CVD工艺优越,可以有效地防止由于基区工艺参数超规范而引起的成品率下降和整批报废。