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10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片
作者姓名:雷恺  缪瑜  冯军  王志功
作者单位:东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.

关 键 词:激光驱动器  复接器  锁存器  CMOS  直接耦合  SOC
文章编号:1001-5868(2005)04-0350-03
修稿时间:2004-12-28
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