| 薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试 |
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| 引用本文： | 张英,麦耀华,李国斌,顿涛涛,董倩,刘涛,贾海军.薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试[J].仪器仪表学报,2012,33(11). |
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| 作者姓名： | 张英 麦耀华 李国斌 顿涛涛 董倩 刘涛 贾海军 |
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| 作者单位： | 保定天威薄膜光伏有限公司 保定 071051 |
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| 基金项目： | 国家973计划，保定天威集团研发项目 |
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| 摘 要： | 为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果.在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能.经过1 000h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300 mm×300 mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1300mm ×1 100 mm)组件中,前后玻璃在很多情况下仍是组件漏电流的主要通道.
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| 关 键 词： | 薄膜光伏组件 漏电通道 绝缘电阻 定量测量 |
Electric leakage path model and insulation resistance quantitative measurement for thin film silicon solar module |
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| Zhang Ying
,
Mai Yaohua
,
Li Guobin
,
Dun Taotao
,
Dong Qian
,
Liu Tao
,
Jia Haijun.Electric leakage path model and insulation resistance quantitative measurement for thin film silicon solar module[J].Chinese Journal of Scientific Instrument,2012,33(11). |
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| Authors: | Zhang Ying Mai Yaohua Li Guobin Dun Taotao Dong Qian Liu Tao Jia Haijun |
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