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| 稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延薄膜与超晶格的光学特性的研究 | |
| 引用本文： | 陈Xi 王杰.稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延薄膜与超晶格的光学特性的研究[J].半导体学报,1996,17(8):573-577. |
| 作者姓名： | 陈Xi 王杰 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 用分子束外管生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在爸组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ－１ｘＭｎｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒，瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎ |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 ZnMnSe薄膜 外延生长 超晶格 |
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