B廓了在n(Si)—GaAs层中的化学补偿效应 |
| |
引用本文: | 刘伊犁,罗晏.B廓了在n(Si)—GaAs层中的化学补偿效应[J].半导体学报,1996,17(5):360-364. |
| |
作者姓名: | 刘伊犁 罗晏 |
| |
作者单位: | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| |
摘 要: | B注入n(Si)-GaAs层,经高温退火在GaAs晶格恢复过程中,B将占据GaAs晶格中一定位置成为替位B,当B取代As位,则形成双受主BAs,,当B取代Ga位,并形成络合物BGaYAs,将促使Si占As位,形成受主SiAs和受主络合物BgaSiAs,由于所产生的受主与n层中施主SiGa的补偿,减少了n 的载流子浓度,即B的化学补偿效应,本采用霍测量及光致光发测量对B的补偿行为进行分析。
|
关 键 词: | B离子注入 GaAs 化学补偿效应 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|