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| 在磁场中的Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长数值模拟研究 | |
| 引用本文： | 王培林,张国艳.在磁场中的Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长数值模拟研究[J].半导体学报,1996,17(7):485-492. |
| 作者姓名： | 王培林 张国艳 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学控制工程系 |
| 摘 要： | 结垂直Ｂｒｉｄｇｍａ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体和平共处和数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场，流场，浓度场及ｓ－１界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法。 |
| 关 键 词： | 磁场 碲镉汞 晶体生长 数值模拟 Bridgman制取 |
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