GaAs,AlxGa1—xAs外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测试

用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光是导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算得外延层的少子扩散长度和霍耳迁移度，本方法对波测样品的几何形状和尺寸无特殊要求，测试区域小于５×５ｍｍ＾２，具有无损伤，不污染的优点，并配有微机控制，测试迅速方便。