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| 退火对C_（60）薄膜电学性质的影响 | |
| 作者姓名： | 巩金龙 李亚虹 马国斌 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 |
| 摘 要： | 本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响．结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０－５～１０－７（Ω·ｃｍ）－１的范围内．薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当时间小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小．相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电导率变小．通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大，这些缺陷在Ｃ６０膜的能带中引入缺陷态．σ－１／Ｔ图中高温区域电导偏 |
| 关 键 词： | C60 薄膜 电学性质 退火 |
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