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| 固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究 | |
| 引用本文： | 房华,李炳宗,吴卫军,邵凯,姜国宝,顾志光,黄维宁,刘平,周祖尧,朱剑豪.固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究[J].半导体学报,1996,17(4):305-312. |
| 作者姓名： | 房华 李炳宗 吴卫军 邵凯 姜国宝 顾志光 黄维宁 刘平 周祖尧 朱剑豪 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系 |
| 摘 要： | 通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级， |
| 关 键 词： | CoSi薄膜 固相外延生长 n＋p结 半导体材料 |
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