摘 要: | 通过As+离子注入到由TiN/Co/Ti/Si多层结构因相反应得到的外延CoSi2层中,利用外延硅化物作为扩散源(ESADS),形成了0.1μm的浅n+p结.研究了Cosi2外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的n+p浅结特性.实验结果表明:外延CoSi2层在非晶化后能有效地再结晶;As原子在多晶CoSi2/Si结构和单晶CoSi2/Si结构中有着不同的再分布特性;同相应的以多晶CoSi2作为扩散源形成的结相比,以外延CoSi2作为扩散源形成的结反向漏电小1~2个数量级,
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