77KFowler—Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本研究了７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀注入时栅氧化层对电荷的俘获特性，发现沟道区上方栅氧化屋将俘获电荷，使阀值电压下降，而栅边缘氧化层地电子的俘获明显增强，并高于室温一的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显降低，提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷机制。