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| 可调节势垒高度的Al／Si_（1—x）Gex肖特基接触 | |
| 引用本文： | 江若琏,李健,周晓春,刘建林,郑有.可调节势垒高度的Al／Si_（1—x）Gex肖特基接触[J].半导体学报,1996,17(7):540-544. |
| 作者姓名： | 江若琏 李健 周晓春 刘建林 郑有 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| 摘 要： | 本文首次报道了Ａｌ／ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ肖特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触的制备与电学性质．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变外延层采用快速加热、超低压化学气相淀积方法生长．实验表明，改变Ｇｅ组分ｘ的大小可以调节肖特基势垒高度．随着Ｇｅ组分的增大，肖特基势垒高度降低，其降低值与Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层带隙的降低值相一致，界面上费米能级钉扎于导带下约０．４３ｅＶ处．文中还研究了ＳｉＧｅ合金层的应变弛豫以及Ｓｉ顶层对肖特基接触特性的影响． |
| 关 键 词： | 肖特基势垒 Al／SiGe 肖特基结 样品制备 |
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