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| MBE生长面发射激光器的的位厚度监测 | |
| 引用本文： | 周增圻,潘钟.MBE生长面发射激光器的的位厚度监测[J].半导体学报,1996,17(8):589-594. |
| 作者姓名： | 周增圻 潘钟 |
| 作者单位： | 国家光电子工艺中心 |
| 摘 要： | 在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＥＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义，我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜， |
| 关 键 词： | MBE生长 面发射激光器 监测 激光器 |
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