GaAlAs/GaAs欧量子阱增益耦合型DFB激光器电吸收型调制器单片光子… |
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作者姓名: | 罗毅 平田隆昭 |
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作者单位: | 清华大学电子工程系 |
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摘 要: | 我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构,本理论上分析了新型器件的可行性,优化设计了器件结构,在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件,器件电流为35mA。
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关 键 词: | DFB激光器 调制器 光子集成器件 GaAlAs GaAs |
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