GaAs/AlxGa1—xAs多量子阱掩埋条形激光器 |
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引用本文: | 李世祖,张敬明.GaAs/AlxGa1—xAs多量子阱掩埋条形激光器[J].半导体学报,1996,17(4):275-278. |
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作者姓名: | 李世祖 张敬明 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。
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关 键 词: | 掩埋条形激光器 多量子阱 GaAs AlGaAs 激光器 |
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