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| 偏心Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长S—L界面形状的数值模拟 | |
| 引用本文： | 王培林,邓开举.偏心Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长S—L界面形状的数值模拟[J].半导体学报,1996,17(1):16-20. |
| 作者姓名： | 王培林 邓开举 |
| 摘 要： | 用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布。考察了偏心程度，安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况。 |
| 关 键 词： | 晶体生长 Bridgman法 HgCdTe S－L界面 |
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