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| Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 | |
| 引用本文： | 高文钰,大西一功.Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究[J].半导体学报,1996,17(2):98-104. |
| 作者姓名： | 高文钰 大西一功 |
| 摘 要： | 本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所恢复，但最后一种损伤没有变化，实验还表明：产生的慢界面态分布在禁带上半部；高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降，对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论，还给出产生的慢界面态对高频电容－ |
| 关 键 词： | MOS器件 高电场应力 应力 损伤 |
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