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| 退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响 | |
| 引用本文： | 李映雪,奚雪梅,王兆江,张兴,王阳元,林成鲁.退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响[J].半导体学报,1996,17(1):11-15. |
| 作者姓名： | 李映雪 奚雪梅 王兆江 张兴 王阳元 林成鲁 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所，中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因． |
| 关 键 词： | SIMOX材料 硅 二氧化硅 退火 界面 |
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