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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
退火气氛对SIMOX材料Si/SiO_2界面特性的影响
作者姓名:
李映雪
奚雪梅
王兆江
张兴
王阳元
林成鲁
作者单位:
北京大学微电子研究所,中国科学院上海冶金研究所
摘 要:
利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响.结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5%O2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO2界面,而在纯N2气氛中退火,Si/SiO2界面极不平整,且界面附近晶体质量较差.本文分析了造成这种结果的原因.
关 键 词:
SIMOX材料 硅 二氧化硅 退火 界面
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