|
|||||
|
|
| 宽禁带Ⅱ—Ⅵ族四元合金Zn1—xMgxSySe1—y成分的定量俄歇分析 | |
| 作者姓名： | 靳彩霞 赵国珍 |
| 作者单位： | [1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]上海材料研究所 |
| 摘 要： | 用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－７薄膜，在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各 相 |
| 关 键 词： | Ⅱ－Ⅵ族 四元合金 ZnMgSSe 化合物半导体 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |