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| 注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性 | |
| 引用本文： | 竺士炀,林成鲁,高剑侠,李金华.注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性[J].半导体学报,1996,17(9):693-697. |
| 作者姓名： | 竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 [2]中国科学院新疆物理所 |
| 摘 要： | 对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力． |
| 关 键 词： | 注氟 SIMOX 二氧化硅 感生电荷分布 半导体材料 |
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