首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性
作者姓名:
竺士炀
林成鲁
高剑侠
李金华
作者单位:
[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 [2]中国科学院新疆物理所
摘 要:
对常规工艺制备的SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)材料,注入不同剂量的F+并退火,其电容经(60)Coγ射线电离辐照后平带电压漂移较小,通过同理论值相比较,说明F+的注入减少了SIMOX隐埋SiO2层(BOX:BuriedOXide)的空穴陷阱浓度,增强了SIMOX的抗电离辐照能力.
关 键 词:
注氟 SIMOX 二氧化硅 感生电荷分布 半导体材料
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号