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| MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响 | |
| 引用本文： | 赵清太,王忠烈.MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响[J].半导体学报,1996,17(9):706-712. |
| 作者姓名： | 赵清太 王忠烈 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所 |
| 摘 要： | 本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率． |
| 关 键 词： | 硅离子注入 BF2注入 硅样品 硅 |
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