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| GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究 | |
| 引用本文： | 李志国,赵瑞东,孙英华,吉元,程尧海,郭伟玲,王重,李学信.GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究[J].半导体学报,1996,17(1):65-70. |
| 作者姓名： | 李志国 赵瑞东 孙英华 吉元 程尧海 郭伟玲 王重 李学信 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系 |
| 摘 要： | 本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊 |
| 关 键 词： | MESFET 砷化镓 肖特基势垒 退化 场效应晶体管 |
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