| 掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析 |
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| 引用本文： | 王良,郑庆瑜.掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析[J].半导体杂志,1998,23(4):7-11,50. |
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| 作者姓名： | 王良 郑庆瑜 |
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| 作者单位： | 电子材料研究所 |
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| 摘 要： | 测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质激光活能和载波子有效质量。分析结果表明，控制杂质能级和表观杂质激活能由补偿度和杂质浓度决定。掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料预期有０．０８ｅＶ、０．１２ｅＶ两个能级，当补偿杂质浓度大于较小能级浓度时，材料将由较高的能级控制
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| 关 键 词： | 激活能 迁移率 载流子浓度 碳化硅 掺氮 |
Measurement and analysis on temperature dependence of electrical properties for nitrogen doped 6H SiC material |
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| Authors: | Wang Liang Zheng Qingyu Sun Yizhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | H SiC ionization energy mobility carrier concentration |
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