聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响 |
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引用本文: | 张济龙.聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响[J].半导体杂志,1998,23(2):1-3. |
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作者姓名: | 张济龙 |
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作者单位: | 西南农业大学基础科技学院物理系 |
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摘 要: | 通过几组对比实验,揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Si-SiO2界面的影响:聚酰亚胺在Si-SiO2界面上引入正电荷,四甲基氢氧化胺则在Si-SiO2界面上引入负电荷。
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关 键 词: | 界面 硅 二氧化硅 聚酰亚胺 四甲基氢氧化胺 |
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