| C波段GaAs单片低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 陈克金,吴庆芳.C波段GaAs单片低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):181-187. |
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| 作者姓名： | 陈克金 吴庆芳 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016
(陈克金，吴庆芳，莫火石，陈继义，陈世鸯)，南京电子器件研究所 210016(周清) |
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| 摘 要： | 本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 C波段 GaAs 放大器 |
C Band GaAs MMIC Low Noise Amplifier |
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| Abstract: | This paper introduces the design of C band GaAs MMIC low noise amplifier. Based on the design the circuit topology and layout are given. The two- and three- tage amplifiers have a noise figure of 1-3.5dB and 1.6-3.5dB with a gain of more than 20dB and 30dB at 3.7-4.2GHz, respectively. |
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