硅基MEMS微同轴的工艺技术

采用硅基MEMS工艺技术制备了具有微同轴传输线与垂直转接结构的微同轴芯片。制备工艺采用先干法刻蚀形成硅立体结构，再进行侧壁选择性金属化工艺，形成了包裹金属的线芯与无金属的硅支撑梁。采用上、中、下3层晶圆分别制备了TSV、悬置线芯等结构，并通过晶圆级键合形成了完整的微同轴结构。微波测试结果表明其具有较低的损耗特性。与其他工艺路线相比，硅基MEMS微同轴工艺技术具有工艺简单、结构可靠的优点。