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锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备
引用本文:张淼,刘正堂,李阳平,郑倩,刘辉.锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备[J].西北工业大学学报,2010,28(4).
作者姓名:张淼  刘正堂  李阳平  郑倩  刘辉
作者单位:西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
摘    要:为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。

关 键 词:二维亚波长结构  反应离子刻蚀  衍射效应  刻蚀深度

Systematically Investigating Fabrication of Two-Dimensional Conical Sub-Wavelength Structures on Ge Substrate
Zhang Miao,Liu Zhengtang,Li Yangping,Zheng Qian,Liu Hui.Systematically Investigating Fabrication of Two-Dimensional Conical Sub-Wavelength Structures on Ge Substrate[J].Journal of Northwestern Polytechnical University,2010,28(4).
Authors:Zhang Miao  Liu Zhengtang  Li Yangping  Zheng Qian  Liu Hui
Abstract:
Keywords:
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