| 采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻 |
| |
| 引用本文： | 史辰,杨维明,刘素娟,徐晨,陈建新.采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻[J].固体电子学研究与进展,2005,25(2):255-259. |
| |
| 作者姓名： | 史辰 杨维明 刘素娟 徐晨 陈建新 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
| |
| 基金项目： | 北京市自然科学基金项目(项目编号:4032005) |
| |
| 摘 要： | 采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。
|
| 关 键 词： | 锗硅异质结双极晶体管 基区串联电阻 调制掺杂量子阱 掩埋金属自对准 |
| 文章编号： | 1000-3819(2005)02-255-05 |
| 修稿时间： | 2004年8月2日 |
Decrease of SiGe HBTs' Base Serial Resistance with Novel Structure and Process |
| |
| SHI Chen,Yang Weiming,Liu Sujuan,XU Chen,CHEN Jianxin.Decrease of SiGe HBTs'''' Base Serial Resistance with Novel Structure and Process[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2005,25(2):255-259. |
| |
| Authors: | SHI Chen Yang Weiming Liu Sujuan XU Chen CHEN Jianxin |
| |
| Abstract: | With the novel modulated doping QW base and buried metal self-align process, the base lateral resistance and contact resistance of ultra-thin-base small-size SiGe HBTs are decreased by 42% and 55% respectively, which provides an effective method of resolution on base serial resistance. |
| |
| Keywords: | SiGe HBTs base serial resistance modulated doping QW buried metal self-align |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
