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| E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放大器采用了电流复用技术,总直流功耗小于275mW,实现了节能。测试结果表明:发射支路增益大于2dB,输出P1dB大于9dBm;接收支路增益大于10dB,输出P1dB大于7dBm,噪声系数小于8dB。相对移相误差均方根值(RMS)在发射和接收模式下均小于6°,附加调幅小于1.5dB;衰减误差RMS小于0.7dB,附加调相小于4°。 |
| 关 键 词： | 数字微波集成多功能单片电路 数控移相器 数控衰减器 数字驱动器 |
Design of E/D GaAs PHEMT Multi-function MMIC |
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| Keywords: | |