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| HfO_x薄膜阻变特性及机理研究 | |
| 作者单位： | ;1.潍坊学院物理与光电工程学院 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ta/HfOx/Pt三明治结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Ta/HfOx/Pt结构具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比(ROFF/RON)约26,并且具有良好的重复性与保持性,循环次数超过了200次。通过XPS和R-T数据分析证实,电场作用下HfOx层中因氧的逸出以及铪的富集所形成的铪导电细丝的生长、断裂和再生是该器件发生电阻转变的主要机制。 |
| 关 键 词： | 二氧化铪 薄膜 射频磁控溅射 阻变特性 导电细丝 |
Resistive Switching Properties and Mechanism of HfO_x Thin Films |
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