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| 基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的相移掩膜光刻技术研究 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 首次在国内开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的0.13μm相移掩膜光刻工艺研究。通过与传统的二进制掩膜技术比较,分析讨论了相移掩膜技术提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌的原理。通过光刻仿真软件模拟相移掩膜和二进制掩膜工艺,结果表明相移掩膜工艺对应的光学成像质量明显优于二进制掩膜工艺。进一步的实验表明,相移掩膜的曝光范围要高于二进制掩膜,同时相移掩膜工艺的线宽均匀性以及光刻剖面形貌也是要优于二进制掩膜。通过以上的研究,表明相移掩膜技术可以提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌。 |
| 关 键 词： | 相移掩膜 二进制掩膜 分辨率 曝光范围 焦深 |
Research of Phase Shifting Mask Lithographic Process on 101.6mm (4inch) GaAs Wafer |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |