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| 千瓦级LDMOS大功率器件研制 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | <正>南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题,成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。图1显示了所研制器件的芯片照片、器件照片 |
Fabrication of 1 kW Output Power LDMOS Device |
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| Keywords: | |