| 锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响 |
| |
| 引用本文： | 江慧华,杨德仁,田达晰,马向阳,李立本,阙端麟. 锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(11): 2107-2110 |
| |
| 作者姓名： | 江慧华 杨德仁 田达晰 马向阳 李立本 阙端麟 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目 , 国家科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h 1000℃/16h和800℃/4～128h 1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.
|
| 关 键 词： | 重掺硼直拉硅 锗 氧沉淀 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2107-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-29 |
| 修稿时间： | 2005-06-17 |
Effects of Germanium on Oxygen Precipitation in Heavily Boron-Doped Czochralski Silicon |
| |
| Jiang Huihu,Yang Deren,Tian Daxi,Ma Xiangyang,Li Liben and Que Duanlin. Effects of Germanium on Oxygen Precipitation in Heavily Boron-Doped Czochralski Silicon[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(11): 2107-2110 |
| |
| Authors: | Jiang Huihu Yang Deren Tian Daxi Ma Xiangyang Li Liben Que Duanlin |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310028,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310029,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310030,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310031,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310032,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | heavily boron-doped Czochralski silicon germanium oxygen precipitation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
