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| 多层介质上激光区熔再结晶多晶硅法制备的SOI结构的特性 | |
| 摘 要： | 多层介质上激光区熔再结晶多晶硅法制备的ＳＯＩ结构的特性＝〔刊，俄〕１９９４，２３（６）－３２～３８众所周知，ＳＯＩ上制作的ＣＭＯＳ集成电路和单晶硅上制作的ＣＭＯＳ电路相比，具有一系列固有优点，如速度更快、耦合电容更低、封装密度更高、更耐脉冲噪声和电离... |
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