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杂志ISSN号
谁是内存接班人? 三星:PRAM
作者姓名:
王丽娟
摘 要:
前言: 目前以DRAM及FLASH高居全球内存市场冠、亚军地位的排行榜,何时会出现变化? 2008 VLSI研讨会邀请韩国三星院士Kinnam Kim 以"新世代内存的挑战与机会"发表演说.
关 键 词:
内存
接班人
发表演说
新世代
院士
韩国
VLSI
变化
排行榜
地位
市场
FLASH
DRAM
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