| 采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 刘珂,杨海钢,尹韬.采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计[J].微电子学,2008,38(2):192-197. |
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| 作者姓名： | 刘珂 杨海钢 尹韬 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
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| 摘 要： | 与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同,提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数,实现温度的高次补偿,大大减小了电路的复杂性和功耗.同时,通过增加电源电压耦合电路,提高电源抑制比,并在输出级利用低压差电压DC转换电路,实现电压转换,提供可调的多种参考电压.该电路采用Chartered 0.35 μm CMOS 工艺实现,采用3.3 V电源电压,在-40～100 ℃范围内,达到低于6 ppm/℃的温度系数,在1 kHz和27 ℃下,电源抑制比达到82 dB.
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| 关 键 词： | 带隙基准源 电压基准源 电源抑制比 温度补偿 电阻 温度补偿 PSRR 基准电压源 设计 Temperature Compensation Reference Voltage High 高电源抑制比 范围 参考电压 电压转换 转换电路 差电压 低压 输出级 耦合电路 电源电压 功耗 |
| 文章编号： | 1004-3365(2008)02-0192-05 |
| 修稿时间： | 2007年6月7日 |
Design of High PSRR Voltage Reference Using Resistor Temperature Compensation |
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| LIU Ke,YANG Haigang,YIN Tao.Design of High PSRR Voltage Reference Using Resistor Temperature Compensation[J].Microelectronics,2008,38(2):192-197. |
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| Authors: | LIU Ke YANG Haigang YIN Tao |
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