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基于0.5μmBCD工艺的欠压锁存电路设计
作者姓名:王伟  李富华  谢卫国
作者单位:苏州大学,电子信息学院,江苏,苏州,215021
基金项目:2007姑苏创新创业领军人才项目 
摘    要:针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路.所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定.整个电路采用CSMC 0.5 μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单,反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点.

关 键 词:欠压锁存  电源管理  带隙基准  滞回区间  BCD工艺
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