| 碳化硅表面结构对光催化活性的影响 |
| |
| 作者姓名： | 郭雨 冯纪章 郭腾 陈君华 柏雷 周永生 叶祥桔 徐卫兵 |
| |
| 作者单位： | 安徽科技学院 化学与材料工程学院, 安徽 蚌埠 233100;合肥工业大学 化学工程学院, 安徽 合肥 230009;安徽德力日用玻璃股份有限公司, 博士后工作站, 安徽 凤阳 233121;赛鼎工程有限公司,山西 太原,030032;合肥工业大学 化学工程学院,安徽 合肥,230009;安徽科技学院 化学与材料工程学院,安徽 蚌埠,233100 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;安徽科技学院重点学科建设项目;高层次人才项目 |
| |
| 摘 要： | 为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-vis DR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变,而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si—O—Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下,即偏置电压±500V,浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L-1,紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9%和80%.与未改性碳化硅样品相比,NaOH浸蚀后SiC对光降解MB具有显著的光催化和光电催化活性,其光催化效率分别增大了24和36倍.
|
| 关 键 词： | 碳化硅 光电催化 化学浸蚀 表面改性 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
