| SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 |
| |
| 引用本文： | 曹亮亮,叶志镇,张阳,朱丽萍,张银珠,徐伟中,赵炳辉. SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(3): 164-167 |
| |
| 作者姓名： | 曹亮亮 叶志镇 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目，浙江省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜.引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响.利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究.结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能.
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 脉冲激光沉积 光致发光 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）03-0164-04 |
| 收稿时间： | 2005-01-22 |
| 修稿时间： | 2005-01-22 |
Characterization of ZnO Thin Films Prepared on SIO2/Si Substrates |
| |
| Cao Liangliang,YE Zhizhen,Zhang Yang,Zhu Liping,Zhang Yinzhu,Xu Weizhong,Zhao Binghui. Characterization of ZnO Thin Films Prepared on SIO2/Si Substrates[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(3): 164-167 |
| |
| Authors: | Cao Liangliang YE Zhizhen Zhang Yang Zhu Liping Zhang Yinzhu Xu Weizhong Zhao Binghui |
| |
| Affiliation: | State Key laboratory of Silivon Materials, Zhejiang University, Hangzhou ,310027,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiO2/Si |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
